表面极化子的内部激发态

研究了表面极化子内部激发态的性质,采用线性组合算符和么正变换方法计算表面极化子的第一内部激发态的能量,讨论激发态能量与电子一声子耦合常数的依赖关系。     

GaAs晶体膜中弱耦合极化子的自陷能

本文采用Ｈｕｙｂｒｅｃｈｔｓ线性组合算符和变分法相结合的方法,研究了极性晶体膜内电子－声子弱耦合系统的基态能量,得到了作为膜厚和耦合常数函数的极化子的自陷能,对ＧａＡｓ晶体计算了不同支声子与电子相互作用对极化子自陷能的贡献。     

孤子理论及其在化学中的应用(下)

(下)主要介绍了孤子理论在化学中应用的新进展,并展望了今后研究的发展动力。     

氮化物无限抛物量子阱中极化子能量

采用LLP变分法研究氮化物抛物量子阱（GaN／Al0.3Ga0.7N）材料中自由极化子的能级,给出基态能量和基态到第一激发态跃迁能量随抛物量子阱宽度变化的函数关系．研究结果表明,自由极化子基态能量和跃迁能量随着阱宽的增大首先急剧减小,然后缓慢下降,最后接近GaN体材料中的三维值．这些结果在定性上与GaAs／ALGa1-x,As抛物量子阱中的值相似,但在定量上有所不同．GaN／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中电子一声子相互作用对极化子能量的贡献明显大于GaAs／Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中的相应值,因此,讨论氮化物抛物量子阱中的电子态问题时应考虑电子一声子相互作用．     

GaAs和ZnSe中极化子的压力效应

考虑电子发射和吸收多个虚声子对极化子的影响,计入压力效应,采用改进的线性组合算符法讨论极性晶体中的~族GaAs和~族ZnSe极化子的性质.在中间耦合极限下,数值计算得到了这两种极化子的耦合常数、自陷能、有效质量和围绕电子的平均虚声子数随外加压力的变化关系.结果表明:压力对~族材料的影响比较大.     

量子棒中极化子基态能量的杂质效应

通过坐标变换把量子棒的哈密顿量由椭球边界变为球形边界.采用线性组合算符方法,研究了量子棒中弱耦合杂质极化子的基态能量与椭球纵横比、量子棒的横向和纵向有效受限长度、库仑束缚势和电子-声子耦合强度的关系.结果表明：基态能量随有效受限长度的减少而迅速增大.表现出量子棒珍奇的量子尺寸限制效应.基态能量随库仑束缚势、纵横比和耦合强度的增加而减少.     

齐分子吡咯中极化子和双极化子及其稳定性

采用半经验Austin Model 1(AM1)方法，计算了齐分子吡咯聚合物(PPy)的中性态和带电态的几何结构性质．与中性态相比，带电态下其分子结构表现在C-C键长发生显著改变，单电荷掺杂导致极化子元激发；当掺杂的双电荷随机放置时，出现了两种情况：一种情况下产生双极化子，另一种情况下会产生两个分立的极化子．通过控制链的长度．可实现极化子与双极化子之间的相变，从而揭示出在有机半导体材料中实现自旋极化输运的可能性．     

极化子速度对束缚磁极化子的声子平均数的影响

采用改进的线性组合算符和幺正变换方法研究了晶体中束缚磁极化子的性质．导出了晶体中强、弱耦合束缚极化子的声子平均数与极化子速度的关系．通过对RbCl和ZnO晶体进行数值计算，结果表明：晶体中强、弱耦合束缚磁极化子的声子平均数均随极化子速度的增加而增大．     

双声子关联效应对束缚磁极化子基态能量的影响

在LLP正则变换基础之上，引入线性组合算符，选取一个包含双声子关联效应的基态计算库仑束缚磁极化子的基态能量．计算表明，考虑声子关联效应时，束缚磁极化子的基态能量降低．双声子关联效应所对应的能量与耦合常数的二次方密切相关．     

卤族桥接混合价化合物中的非线性晶格弛豫(英文)

对卤族桥接含金属离子的混合价化合物(HMMC)的研究,近年来引起人们广泛的兴趣,因为这种物质具有准一维电荷密度波基态,能生长成良好的单晶,是研究低维量子理论的一种良好的样品,具有很大潜在的应用前景.本文根据作者所发展的处理电子-声子作用的方法;提出了一个HMMC被光激发后的晶格驰豫模型,讨论了其对光感应吸收的影响,并在此基础上,计算了光感应吸收峰,较之其他模型所算得的结果更符合实验事实。